今年骁龙810的“发烧问题”让不少Android厂商都吃了苦头，这样一来作为芯片供应商的高通自然是很没面子。不过从目前的传言来看，被高通寄予厚望的接班人骁龙820似乎确实也值得期待，三星14nmFinFET工艺和自主Kryo架构让骁龙820的发热得到了有效控制，同时运算性能还将有显著提升。 

    据了解，高通目前已经推出了最新的V3.x版骁龙820，预计其测试样品将于10月出货，而现在新旧版本骁龙820的性能对比就已经现身互联网。从对比结果来看，名为820-B的新版本比早期版本820-A在多任务以及整数单线程方面提升较大，820-B的安兔兔跑分更是突破7万大关。

   不仅如此，骁龙820这次的整体表现也可谓相当强势，尤其是单线程整数和单线程浮点数分别提升了38%和77%，照此估算骁龙820在Geekbench 3中的单线程分数将在2100分左右。

    虽然到目前为止还无法证明传言中的V3.x就是820-B，但可以肯定的是作为骁龙820代工方的三星正在全新旗舰Galaxy S7上测试这款旗舰处理器，因此Galaxy S7究竟会选择自家的Exynos处理器还是骁龙820还都是个未知数，当然和Galaxy S5一样推出两个版本也是有可能的。